Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB108N15N3GATMA1
IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies

187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPB108N15N3GATMA1 за ціною від 133.31 грн до 417.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+170.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+171.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+177.48 грн
2000+ 160.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+196.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+201.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+212.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+235.78 грн
10+ 223.58 грн
25+ 218.8 грн
100+ 196.27 грн
250+ 133.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+253.91 грн
51+ 240.78 грн
52+ 235.63 грн
100+ 211.36 грн
250+ 143.56 грн
Мінімальне замовлення: 48
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+338.52 грн
25+ 308.03 грн
100+ 257.71 грн
500+ 200.36 грн
1000+ 164.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.01 грн
10+ 277.6 грн
100+ 224.55 грн
500+ 187.32 грн
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+417.48 грн
10+ 338.52 грн
25+ 308.03 грн
100+ 257.71 грн
500+ 200.36 грн
1000+ 164.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB108N15N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.8mΩ
Power dissipation: 214W
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB108N15N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.8mΩ
Power dissipation: 214W
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній