IPB100N04S303ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 152+ | 146.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB100N04S303ATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ T, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, Power dissipation: 214W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 110nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB100N04S303ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB100N04S303ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IPB100N04S303ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
товар відсутній |
|
|
|
IPB100N04S303ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
товар відсутній |
|
|
|
IPB100N04S303ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |