![IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/eb6f437e84e8db844532f1d03395ac73739cacab/1-pg-to263-3-1-va.jpg)
IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies
![ipp_b100n04s2-04_green.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 196.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPB100N04S204ATMA4 за ціною від 137.06 грн до 310.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPB100N04S204ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPB100N04S204ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPB100N04S204ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPB100N04S204ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPB100N04S204ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V |
товар відсутній |