Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPB083N15N5LF_DataSheet_v02_01_EN-3362462.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.92 грн
10+ 378.28 грн
25+ 328.23 грн
100+ 266.38 грн
250+ 265.68 грн
500+ 236.16 грн
1000+ 201.72 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB083N15N5LFATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IPB083N15N5LFATMA1 за ціною від 179.41 грн до 482.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB083N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b57cf380303f5 Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+482.79 грн
10+ 313.65 грн
100+ 227.84 грн
500+ 179.41 грн
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb083n15n5lf-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB083N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b57cf380303f5 Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
товар відсутній