![IPB083N15N5LF IPB083N15N5LF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/E5/03/80/00/0/536670_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=86bfff310ba15a9c1397725e6d4946c1f855df97)
IPB083N15N5LF INFINEON TECHNOLOGIES
![IPB083N15N5LF.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 66A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB083N15N5LF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3, Case: PG-TO263-3, Mounting: SMD, Power dissipation: 179W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 5, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 66A, On-state resistance: 8.3mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB083N15N5LF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPB083N15N5LF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD Power dissipation: 179W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 66A On-state resistance: 8.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |