![IPB081N06L3 G IPB081N06L3 G](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_263_AC_3_SPL.jpg)
IPB081N06L3 G Infineon Technologies
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.64 грн |
10+ | 101.04 грн |
100+ | 67.97 грн |
500+ | 57.85 грн |
1000+ | 47.16 грн |
2000+ | 44.35 грн |
5000+ | 42.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB081N06L3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3, Mounting: SMD, Case: PG-TO263-3, On-state resistance: 8.1mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 79W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 50A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB081N06L3 G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPB081N06L3G | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 8.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IPB081N06L3G | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 8.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A |
товар відсутній |