IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 149.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IPB072N15N3GATMA1 за ціною від 180.74 грн до 567.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V |
на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 3530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IPB072N15N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |