IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 305.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IPB048N15N5LFATMA1 за ціною від 319.8 грн до 913.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |