IPB033N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB033N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 108A, Power dissipation: 179W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.3mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції IPB033N10N5LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB033N10N5LF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 108A Power dissipation: 179W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |