![IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GATMA1](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_263_3_new_SPL.jpg)
IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 315-324 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 361.81 грн |
10+ | 318.98 грн |
100+ | 227.19 грн |
250+ | 213.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 100A, On-state resistance: 3.1mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 214W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: PG-TO263-3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB031NE7N3GATMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPB031NE7N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
IPB031NE7N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3 Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IPB031NE7N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3 Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 |
товар відсутній |