Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB026N06NATMA1
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies

ipb026n06n_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPB026N06NATMA1 за ціною від 67.93 грн до 210.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB026N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043372d5cc8013754c7b2a74f7c Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+78.59 грн
2000+ 71.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB026N06N_DS_v02_02_en-1227367.pdf MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-2
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.13 грн
10+ 119.25 грн
100+ 88.17 грн
250+ 79 грн
500+ 71.24 грн
1000+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB026N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043372d5cc8013754c7b2a74f7c Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.58 грн
10+ 132.41 грн
100+ 105.4 грн
500+ 83.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+195.54 грн
10+ 175.28 грн
25+ 173.52 грн
100+ 135.9 грн
250+ 124.57 грн
500+ 101.82 грн
1000+ 83.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+210.58 грн
65+ 188.76 грн
66+ 186.87 грн
100+ 146.35 грн
250+ 134.16 грн
500+ 109.65 грн
1000+ 89.74 грн
Мінімальне замовлення: 59
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB026N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB026N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній