![IPB020N10N5LF IPB020N10N5LF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/C7/23/80/00/0/537212_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=8813fcaba34af00e06359b51d2254b487dfb3627)
IPB020N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES
![IPB020N10N5LF.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB020N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 120A, Power dissipation: 313W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції IPB020N10N5LF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPB020N10N5LF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 313W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |