Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB019N06L3GATMA1
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies

ipb019n06l3_rev2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPB019N06L3GATMA1 за ціною від 105.07 грн до 276.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+133.16 грн
2000+ 120.74 грн
5000+ 115.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.06 грн
5+ 121.24 грн
8+ 114.63 грн
21+ 108.75 грн
100+ 105.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.07 грн
5+ 151.08 грн
8+ 137.55 грн
21+ 130.5 грн
100+ 126.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 7726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.91 грн
10+ 208.24 грн
100+ 168.47 грн
500+ 140.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB019N06L3_DS_v02_02_en-1731620.pdf MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.51 грн
10+ 228.76 грн
25+ 187.63 грн
100+ 160.83 грн
250+ 152.36 грн
500+ 143.19 грн
1000+ 116.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb019n06l3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній