![IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4408/MFG_IPB019N08NF2SATMA1.jpg)
IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPB016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a92f971afa](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 294.24 грн |
10+ | 237.87 грн |
100+ | 192.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH 40.
Інші пропозиції IPB016N08NF2SATMA1 за ціною від 112.34 грн до 319.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB016N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPB016N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPB016N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V |
товар відсутній |