IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 105.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V.
Інші пропозиції IPB011N04LGATMA1 за ціною від 169.35 грн до 374.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB011N04LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB011N04LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB011N04LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB011N04LGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Case: PG-TO263-7 Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A On-state resistance: 1.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB011N04LGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Case: PG-TO263-7 Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A On-state resistance: 1.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |