Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPAW70R600CEXKSA1
IPAW70R600CEXKSA1

IPAW70R600CEXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPAW70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157d21612bd71fd Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
на замовлення 10825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
443+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 443
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAW70R600CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPAW70R600CEXKSA1 за ціною від 74.5 грн до 151.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPAW70R600CEXKSA1 IPAW70R600CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPAW70R600CE_DS_v02_00_EN-1731594.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.7 грн
10+ 134.18 грн
100+ 90.67 грн
450+ 74.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPAW70R600CEXKSA1 IPAW70R600CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPAW70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157d21612bd71fd Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
товар відсутній