IPAW60R280P7SXKSA1

IPAW60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPAW60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accfa9ada0268 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 551 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
551+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 551
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAW60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPAW60R280P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 24W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPAW60R280P7SXKSA1 за ціною від 65.44 грн до 130.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPAW60R280P7SXKSA1 IPAW60R280P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPAW60R280P7S_DataSheet_v02_01_EN-3164156.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 450 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.08 грн
10+ 96.17 грн
100+ 68.09 грн
250+ 65.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPAW60R280P7SXKSA1 IPAW60R280P7SXKSA1 Виробник : INFINEON 2718759.pdf Description: INFINEON - IPAW60R280P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+130.56 грн
10+ 84.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPAW60R280P7SXKSA1
Код товару: 188550
Infineon-IPAW60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accfa9ada0268 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPAW60R280P7SXKSA1 IPAW60R280P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipaw60r280p7s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPAW60R280P7SXKSA1 IPAW60R280P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipaw60r280p7s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPAW60R280P7SXKSA1 IPAW60R280P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipaw60r280p7s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPAW60R280P7SXKSA1 IPAW60R280P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipaw60r280p7s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPAW60R280P7SXKSA1 IPAW60R280P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipaw60r280p7s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPAW60R280P7SXKSA1 IPAW60R280P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPAW60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accfa9ada0268 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товар відсутній