IPAN80R280P7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN80R280P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: 0, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: 0, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPAN80R280P7XKSA1 за ціною від 96.99 грн до 371.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAN80R280P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN80R280P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN80R280P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 980 шт: термін постачання 184-193 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN80R280P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN80R280P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.6A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPAN80R280P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.6A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPAN80R280P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IPAN80R280P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |