IPAN70R900P7SXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPAN70R900P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 22.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN70R900P7SXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPAN70R900P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 17.9W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPAN70R900P7SXKSA1 за ціною від 26.41 грн до 67.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAN70R900P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPAN70R900P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPAN70R900P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IPAN70R900P7SXKSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 9Ohm; 600mA; 17W; -50°C ~ 150°C; Substitute: IPAN70R900P7SXKSA1; IPAN70R900P7S TIPAN70r900p7s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IPAN70R900P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPAN70R900P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPAN70R900P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPAN70R900P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPAN70R900P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 17.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPAN70R900P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 17.9W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.5A Power dissipation: 17.9W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 6.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |