![IPAN70R600P7SXKSA1 IPAN70R600P7SXKSA1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3227627-40.jpg)
IPAN70R600P7SXKSA1 INFINEON
![Infineon-IPAN70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015ad1bc3b8a21b8](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IPAN70R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24.9W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 70.02 грн |
15+ | 53.77 грн |
100+ | 39.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN70R600P7SXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPAN70R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24.9W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPAN70R600P7SXKSA1 за ціною від 29.38 грн до 88.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPAN70R600P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPAN70R600P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPAN70R600P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 24.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V |
товар відсутній |