Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPAN70R450P7SXKSA1
IPAN70R450P7SXKSA1

IPAN70R450P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPAN70R450P7S.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.5A; 22.7W; TO220FP
Power dissipation: 22.7W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: CoolMOS™ P7
Gate charge: 13.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.45Ω
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.13 грн
6+ 63.19 грн
10+ 55.84 грн
18+ 49.97 грн
47+ 47.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAN70R450P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 700V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPAN70R450P7SXKSA1 за ціною від 55.55 грн до 94.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPAN70R450P7SXKSA1 IPAN70R450P7SXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R450P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.5A; 22.7W; TO220FP
Power dissipation: 22.7W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: CoolMOS™ P7
Gate charge: 13.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.45Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+94.96 грн
4+ 78.75 грн
10+ 67.01 грн
18+ 59.96 грн
47+ 56.43 грн
250+ 55.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPAN70R450P7SXKSA1 IPAN70R450P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_01-EN-1731617.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPAN70R450P7SXKSA1 IPAN70R450P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2376001138646208infineon-ipan70r450p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPAN70R450P7SXKSA1 IPAN70R450P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f Description: MOSFET N-CH 700V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
товар відсутній