![IPAN60R360PFD7SXKSA1 IPAN60R360PFD7SXKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/956/448%3BPG-TO220-3%3B%3B3.jpg)
IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.34 грн |
50+ | 50.85 грн |
100+ | 40.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPAN60R360PFD7SXKSA1 за ціною від 33.59 грн до 333.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 714mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 714mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |