IPAN60R280PFD7SXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPAN60R280PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 89.42 грн |
| 12+ | 68.13 грн |
| 100+ | 64.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R280PFD7SXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R280PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPAN60R280PFD7SXKSA1 за ціною від 43 грн до 136.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V |
на замовлення 2892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 7A; Idm: 31A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 549mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
JAM NUT RECEPTACLE |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 7A; Idm: 31A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 549mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |