на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.49 грн |
| 10+ | 120.06 грн |
| 100+ | 82.53 грн |
| 250+ | 76.89 грн |
| 500+ | 63.77 грн |
| 1000+ | 56.71 грн |
| 5000+ | 54.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPAN60R210PFD7SXKSA1 за ціною від 95.65 грн до 178.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPAN60R210PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 16 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 25 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 10A; Idm: 42A Mounting: THT Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 386mΩ Drain current: 10A Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ PFD7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 42A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
| IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||
| IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP003235776 |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
IPAN60R210PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 10A; Idm: 42A Mounting: THT Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 386mΩ Drain current: 10A Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ PFD7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 42A |
товар відсутній |