![IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/9/25/14/33/57/467254/smn_/manual/ipan60r180p7sxksa1.jpg)
IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPAN60R180P7SXKSA1 за ціною від 50.46 грн до 134.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPAN60R180P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPAN60R180P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPAN60R180P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPAN60R180P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |