IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
на замовлення 3277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 183.99 грн |
| 50+ | 142.56 грн |
| 100+ | 117.3 грн |
| 500+ | 93.15 грн |
| 1000+ | 79.04 грн |
| 2000+ | 75.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R125PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 32, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32, Bauform - Transistor: TO-220FP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPAN60R125PFD7SXKSA1 за ціною від 74.5 грн до 252.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R125PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 32 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 32 Bauform - Transistor: TO-220FP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |