Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPAN50R500CEXKSA1
IPAN50R500CEXKSA1

IPAN50R500CEXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPAN50R500CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e74070a8194e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
693+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 693
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAN50R500CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPAN50R500CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPAN50R500CEXKSA1 за ціною від 27.93 грн до 81.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPAN50R500CEXKSA1 IPAN50R500CEXKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPAN50R500CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e74070a8194e Description: INFINEON - IPAN50R500CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+81.5 грн
13+ 63.15 грн
100+ 45.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPAN50R500CEXKSA1 IPAN50R500CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPAN50R500CE_DS_v02_04_EN-3164129.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.88 грн
10+ 66.76 грн
100+ 45.22 грн
500+ 38.3 грн
1000+ 31.18 грн
2500+ 29.41 грн
5000+ 27.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPAN50R500CEXKSA1 IPAN50R500CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPAN50R500CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e74070a8194e Description: MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
товар відсутній