на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 160.17 грн |
| 10+ | 129.03 грн |
| 100+ | 90.6 грн |
| 250+ | 88.51 грн |
| 500+ | 76.66 грн |
| 1000+ | 63.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA95R750P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA95R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA95R750P7XKSA1 за ціною від 168.09 грн до 186.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPA95R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 28W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 23nC Technology: CoolMOS™ P7 Case: TO220FP Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
 |
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 28W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 23nC Technology: CoolMOS™ P7 Case: TO220FP Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |