![IPA95R450P7XKSA1 IPA95R450P7XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/24/17/52/2/35773/smn_/manual/ipa95r1k2p7xksa1.jpg)
IPA95R450P7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 89.44 грн |
173+ | 81.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA95R450P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA95R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 30W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA95R450P7XKSA1 за ціною від 92.69 грн до 406.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA95R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R450P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of package: tube Power dissipation: 30W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.45Ω Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 35nC Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 8.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 950V |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R450P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of package: tube Power dissipation: 30W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.45Ω Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 35nC Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 8.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 950V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R450P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |