на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 212.38 грн |
| 10+ | 176.21 грн |
| 25+ | 144.79 грн |
| 100+ | 124.41 грн |
| 250+ | 122.3 грн |
| 500+ | 103.32 грн |
| 1000+ | 94.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA95R310PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8.7 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: true, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA95R310PFD7XKSA1 за ціною від 137.19 грн до 259.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA95R310PFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPA95R310PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8.7 A, 0.24 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA95R310PFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 8.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPA95R310PFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |