IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 150.02 грн |
| 50+ | 116.18 грн |
| 100+ | 95.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm.
Інші пропозиції IPA80R450P7XKSA1 за ціною від 60.84 грн до 186.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA80R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 9752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA80R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA80R450P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA80R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA80R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA80R450P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |