IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 58.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R1K4CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm.
Інші пропозиції IPA80R1K4CEXKSA2 за ціною від 40.56 грн до 121.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPA80R1K4CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |