IPA70R900P7SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 21.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA70R900P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 20.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPA70R900P7SXKSA1 за ціною від 25.93 грн до 68.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA70R900P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 20.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA70R900P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|