![IPA70R750P7SXKSA1 IPA70R750P7SXKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/956/448;PG-TO220-3;;3.jpg)
IPA70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPA70R750P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f496d1885402f](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 21.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.85 грн |
10+ | 53.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 21.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 21.2W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA70R750P7SXKSA1 за ціною від 27.39 грн до 71.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA70R750P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 21.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21.2W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA70R750P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA70R750P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |