IPA70R750P7SXKSA1

IPA70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPA70R750P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f496d1885402f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 21.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.85 грн
10+ 53.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 21.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 21.2W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPA70R750P7SXKSA1 за ціною від 27.39 грн до 71.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA70R750P7SXKSA1 IPA70R750P7SXKSA1 Виробник : INFINEON 2577426.pdf Description: INFINEON - IPA70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+70.05 грн
13+ 63.17 грн
100+ 48.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPA70R750P7SXKSA1 IPA70R750P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA70R750P7S_DataSheet_v02_02_EN-3362461.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.06 грн
10+ 58.11 грн
500+ 50.32 грн
1000+ 31.99 грн
2500+ 30.11 грн
5000+ 28.71 грн
10000+ 27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPA70R750P7SXKSA1 IPA70R750P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa70r750p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній