IPA65R660CFDXKSA1

IPA65R660CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPA65R660CFD-DTE.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 27.8W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 0.66Ω
Kind of package: tube
Power dissipation: 27.8W
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R660CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 27.8W; TO220FP, Technology: CoolMOS™, Case: TO220FP, Mounting: THT, On-state resistance: 0.66Ω, Kind of package: tube, Power dissipation: 27.8W, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, Drain current: 6A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IPA65R660CFDXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA65R660CFDXKSA1 IPA65R660CFDXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220
товар відсутній
IPA65R660CFDXKSA1 IPA65R660CFDXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R660CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 27.8W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 0.66Ω
Kind of package: tube
Power dissipation: 27.8W
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
товар відсутній