![IPA65R660CFDXKSA1 IPA65R660CFDXKSA1](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A1/8E/00/00/0/59418_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=263cfba794860b61634ab5d386e1ae684a34b3d1)
IPA65R660CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
![IPA65R660CFD-DTE.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 27.8W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 0.66Ω
Kind of package: tube
Power dissipation: 27.8W
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R660CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 27.8W; TO220FP, Technology: CoolMOS™, Case: TO220FP, Mounting: THT, On-state resistance: 0.66Ω, Kind of package: tube, Power dissipation: 27.8W, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, Drain current: 6A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPA65R660CFDXKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA65R660CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPA65R660CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 27.8W; TO220FP Technology: CoolMOS™ Case: TO220FP Mounting: THT On-state resistance: 0.66Ω Kind of package: tube Power dissipation: 27.8W Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Drain current: 6A |
товар відсутній |