![IPA65R600E6 IPA65R600E6](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_FullPack_3_t.jpg)
IPA65R600E6 Infineon Technologies
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 147.6 грн |
10+ | 131.75 грн |
100+ | 92.07 грн |
500+ | 73.1 грн |
1000+ | 56.86 грн |
5000+ | 54.75 грн |
10000+ | 54.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R600E6 Infineon Technologies
Description: IPA65R600 - 650V AND 700V COOLMO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA65R600E6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IPA65R600E6 | Виробник : Infineon technologies |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IPA65R600E6 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
товар відсутній |