IPA65R420CFD

IPA65R420CFD Infineon Technologies


INFNS27725-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: IPA65R420 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
262+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 262
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R420CFD Infineon Technologies

Description: IPA65R420 - 650V AND 700V COOLMO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPA65R420CFD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA65R420CFD IPA65R420CFD Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R420CFD_DataSheet_v02_06_EN-1227470.pdf MOSFET N-Ch 650V 8.7A TO220FP CoolMOS CFD2
товар відсутній