IPA65R225C7XKSA1

IPA65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPA65R225C7-DTE.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 29W; TO220FP
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPA65R225C7XKSA1 за ціною від 72.66 грн до 229.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R225C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 29W; TO220FP
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.43 грн
3+ 121.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa65r225c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+142.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA65R225C7_DataSheet_v02_01_EN-3362320.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.63 грн
10+ 154.13 грн
100+ 106.51 грн
250+ 98.75 грн
500+ 88.88 грн
1000+ 76.18 грн
2500+ 72.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63 Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.05 грн
10+ 191.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63 Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+229.48 грн
10+ 163.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPA65R225C7XKSA1 Виробник : Infineon Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63 Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA65R225C7XKSA1 TIPA65r225c7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+92.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 4539ds_ipa65r225c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa65r225c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa65r225c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній