IPA65R190E6XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 265.09 грн |
| 10+ | 182.79 грн |
| 100+ | 147.18 грн |
| 500+ | 129.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R190E6XKSA1 INFINEON
Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA65R190E6XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.2A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|
 |
IPA65R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
товар відсутній |
|
|
|
IPA65R190E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.2A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |