IPA65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 109.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA65R190CFDXKSA1 за ціною від 158.71 грн до 339.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R190CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA65R190CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA65R190CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA65R190CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA65R190CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA65R190CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPA65R190CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.5A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPA65R190CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPA65R190CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.5A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |