![IPA65R150CFDXKSA1 IPA65R150CFDXKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/9/6/13/5/141/smn_/manual/ipan60r800cexksa1.jpg)
IPA65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 34.7W; TO220FP, Mounting: THT, Case: TO220FP, Kind of package: tube, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 22.4A, On-state resistance: 0.15Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 34.7W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPA65R150CFDXKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA65R150CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 34.7W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 22.4A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 34.7W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IPA65R150CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPA65R150CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPA65R150CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 34.7W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 22.4A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 34.7W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |