IPA65R065C7XKSA1

IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPA65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be66fa89001a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+589.83 грн
10+ 487.16 грн
100+ 405.98 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPA65R065C7XKSA1 за ціною від 300.5 грн до 649.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA65R065C7_DataSheet_v02_01_EN-3362106.pdf MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+649.31 грн
10+ 548.37 грн
25+ 411.95 грн
100+ 377.38 грн
250+ 376.68 грн
500+ 349.17 грн
1000+ 300.5 грн
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa65r065c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa65r065c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa65r065c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R065C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 34W
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R065C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 34W
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
товар відсутній