IPA60R650CEXKSA1

IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies


676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPA60R650CEXKSA1 за ціною від 29.76 грн до 96.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
169+71.69 грн
186+ 65.15 грн
227+ 53.37 грн
242+ 48.16 грн
500+ 44.41 грн
1000+ 37.89 грн
2000+ 35.39 грн
4000+ 34.52 грн
8000+ 34.35 грн
Мінімальне замовлення: 169
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.6 грн
10+ 63.16 грн
16+ 55.17 грн
43+ 51.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.93 грн
50+ 63.68 грн
100+ 50.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA60R650CE_DS_v02_03_EN-3362080.pdf MOSFET N-Ch 600V 7A TO220FP-3
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.62 грн
10+ 66.28 грн
100+ 45.93 грн
500+ 34.64 грн
1000+ 31.22 грн
2500+ 31.01 грн
5000+ 29.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+90.46 грн
10+ 75.79 грн
16+ 66.21 грн
43+ 61.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+96.94 грн
11+ 72.63 грн
100+ 53.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній