IPA60R600P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.49 грн |
| 10+ | 56.73 грн |
| 100+ | 44.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R600P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 21W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPA60R600P7SE8228XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R600P7SE8228XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP002367778 |
товар відсутній |
||
| IPA60R600P7SE8228XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||
| IPA60R600P7SE8228XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
товар відсутній |