Технічний опис IPA60R450E6XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ E6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 9.2A, Power dissipation: 30W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPA60R450E6XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R450E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPA60R450E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220 |
товар відсутній |
|
|
|
IPA60R450E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |