IPA60R380P6XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.2 грн |
50+ | 106.08 грн |
100+ | 87.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R380P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R380P6XKSA1 за ціною від 91.89 грн до 91.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPA60R380P6XKSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 889mOhm; 10,6A; 83W; -55°C ~ 150°C; IPA60R380P6XKSA1 IPA60R380P6 TIPA60r380p6 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IPA60R380P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||
IPA60R380P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||
IPA60R380P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
IPA60R380P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3 |
товар відсутній |
||||||
IPA60R380P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |