IPA60R380E6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R380E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R380E6XKSA1 за ціною від 60.25 грн до 150.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPA60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPA60R380E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPA60R380E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |