![IPA60R280P7SXKSA1 IPA60R280P7SXKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/29/329253/smn_/manual/600v_p7_to-220-fullpak.jpg_472149771.jpg)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPA60R280P7SXKSA1 за ціною від 36.52 грн до 108.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA60R280P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 271000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R280P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R280P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R280P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R280P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R280P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R280P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R280P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA60R280P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |