IPA60R280E6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 115.39 грн |
| 10+ | 107.66 грн |
| 100+ | 101.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R280E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R280E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPA60R280E6XKSA1 за ціною від 79.71 грн до 199.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R280E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA60R280E6XKSA1 TIPA60r280e6 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPA60R280E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |