IPA60R230P6 Infineon technologies


INFN-S-A0001301517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon technologies

на замовлення 495 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R230P6 Infineon technologies

Description: IPA60R230 - 600V COOLMOS N-CHANN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPA60R230P6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA60R230P6 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0001301517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPA60R230 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R230P6 IPA60R230P6 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0001301517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET LOW POWER_LEGACY
товар відсутній